主要讲RAM与flash,以及NAND flash与NOR flash的区别。
一、RAM和flash的区别
RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲cache。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。
Flash(闪存)也分两类,即nand 和 nor flash,flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。Flash
的编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写为1。所以在 Flash 编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是把所有位都写为 1的过程,块内的所有字节变为0xFF。
而我们平时接触最多的就是RAM即内存,这里主要也是讲内存与flash的区别:易失性,即断电后RAM里面的数据就没了,而fhash里面的数据依然存在。
二、NAND flash与 NOR flash的区别
1)NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR在开发板中应用的非常广泛,通过JTAG/JLINK把boot烧到NOR中,通电后自动运行。这也是NAND和NOR最主要的区别。
2)NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节;NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息;NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
3)NAND的写入速度比NOR快很多,所以NAND适合用于存储数据。如U盘(NAND)存储数据比较快。
4)NOR的读速度比NAND稍快一些。
5)NAND的4ms擦除速度、编程速度远比NOR的5s快。
6)NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
7)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。
8)NAND器件中的坏块是随机分布的,对介质进行初始化扫描发现坏块,并将坏块标记为不可用。在烧写内核到NAND的时候,经常有发现坏块提示。
9)由于Flash固有的电器特性,在读写数据过程中偶然会产生1位或几位数据错误,即位反转,NAND Flash发生位反转的几率要远大于NOR Flash。位反转无法避免,因此,使用NAND Flash的同时,应采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。
10)NANDFlash与NOR Flash相比容量大。
11)NOR价格高,呵呵,这才是最重要的。
分享到:
相关推荐
NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别 NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
存储器通常分为两类型,即随机...随着存储器技术的发展和嵌入式系统的要求一些新的混合型的存储器迅速发展起来,本章就目前广泛应用于嵌入式系统中的新一代存储器Nand-Flash、 Nor-Flash及SDRAM的基础知识进行介绍。
FLASH存储器又称闪存,主要有两种:NorFlash和NandFlash,下面我们从多个角度来对比介绍一下。在实际开发中,设计者可以根据产品需求来进行闪存的合理选择。 1、接口对比 NorFlash带有通用的SRAM接口,可以...
主要讲述了半导体存储器、FLASH存储器的基本知识,以及ROM RAM的区别,NOR FLASH、NAND FLASH的区别
采用对比的方式并且结合当前实际应用,深入全面的分析了各种存储器的来龙去脉,以及差异。例如RAM\ROM\EEPROM\NOR FLASH\NAND FLASH\SSD...
一些NOR 闪存能同时执行读写操作(见 下图1)。虽然NAND 不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系 统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年,即将BIOS 从速率较低的ROM 加载到...
Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。...
包括以下文件: DRAM,SRAM,SDRAM,DDR SDRAM区别.doc ...NOR和NAND Flash区别.txt RAM.txt ROM、EPROM、EEPROM、FLASH ROM的区别.txt SDRAM, DDR SDRAM,DDR2 SDRAM内存的区别及其注释.doc 闪存(Flash Memory).txt
基本知识 NAND flash: 速度快,擦写5ms内;位翻转概率较大,为10%左右;容量大,块容量在8K以上,擦写次数较多;接口为IO接口 NOR flash: 速度慢,擦除5S时间;位翻转概率小于NAND flash;容量较小,块容量在64K...
组织为两个区,可读写同步– 高达256+4 KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据 RAM– 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、 PSRAM、 SDRAM/LPSDRSDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器?...
然后是nand flash, nand flash 也是映射到了 0地址, 为样就和nor flash有冲突了, 所以就有了从nor 启动和从nand启动的区别了, 然后我又想说, 其实nand本身是不能运行程序的(这里的意思是说, 因为nor flash本身为了...
PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源) 板上外扩512K SRAM,2M NOR FLASH (板上支持最大1024k SRAM,16M的NOR FLASH)满足大容量数据采集、处理及分析要求板上 外扩128M NAND FLASH 板上资源:CPU:STM32F103ZET6;(LQFP144...
BOOT的核心就是relocate,目前见到的典型嵌入式系统,除了处理器,至少都有ROM(norflash,nandflash)RAM(SDRAM),一般把Bootloader代码放在norflash里面,而nandflash因为本身硬件原因不能随机访问,一般只是用来放应用程序...
NOR的特点是芯片内执行这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能...
Flash即是存储芯片的一种,其结合了ROM和RAM的特点,既具备电可擦除编程的性能,又可以快速读取数据,数据不会因断电丢失。目前市面上Flash主要有NOR Flash和NAND Flash。
NOR_,SRAM,SDRAM,NAND结构和容量计算 详细的编程说明
FMQL系列的PSOC器件可以以安全模式启动,但仅支持从外部静态存储器NAND Flash,NOR Flash,SD Card或QSPI Flash启动,且安全启动模式JTAG是关闭的。也可以以非安全模式启动,JTAG模式或外部静态存储启动都支持,JTAG...
NOR Flash NAND Flash 光/磁介质存储器 掉电丢失数据(RAM) SRAM DRAM 特定类型的RAM NVRAM CAM DPRAM FIFO 接口与总线 串口 I2C SPI USB ...
NAND/Nor Flash (保留封装) 接口 USB接口: HS USB OTG(MX53内置Phy),HS USB Host SD: 双SD卡槽,其中之一做系统Boot用,并和 One NAND 复用 FEC: 10/100M自适应以太网带IEEEE 1588 QUICC engine ...